従来、薄膜の形成にはプラズマプロセスによるPVD法やCVD法が一般的でしたが、ナノフィルムテクノロジーズ社はアークプラズマ源を用いたイオンビーム蒸着法であるフィルター型カソーディック真空アークFCVA方式(Filtered Cathodic Vacuum Arc)を開発しました。以下にta-C膜の成膜プロセスをご紹介します。
ta-C膜の成膜プロセス
| 1 | バキュームアーク放電により炭素プラズマを作り出します。 |
| 2 | 電磁気的空間フィルターによりイオン化した炭素のみを抽出します。 |
| 3 | イオン化された炭素をスキャニングし、基材上に一様なta-Cアモルファスダイヤモンド薄膜を形成します。 |
| 4 | 基材にバイアスをかけることにより、イオン粒子のエネルギーレベルを可変し用途に応じたta-C膜を作ります。 |
| 競合会社の陰極アーク技術を用いた成膜 *光学顕微鏡(X200) |
 |
| ナノフィルム社のDouble Bend FCVA技術を用いた成膜 *光学顕微鏡(X200) |
 |
