半導体パッケージ封⽌⾦型⽤離型膜(MiCC)
![ナノフィルム 半導体パッケージ封止金型用離型膜](/sites/default/files/inline-images/%E3%83%8A%E3%83%8E%E3%83%95%E3%82%A3%E3%83%AB%E3%83%A0%E3%80%80%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93%E3%83%91%E3%83%83%E3%82%B1%E3%83%BC%E3%82%B8%E5%B0%81%E6%AD%A2%E9%87%91%E5%9E%8B%E7%94%A8%E9%9B%A2%E5%9E%8B%E8%86%9C.png)
半導体の高密度配線化(ファインピッチ化)や高機能化、小型・薄型化、高速化のニーズの進展とともに、高精度の半導体をパッケージングする封止金型の離型膜には、化学的安定性やファインピッチ化に対応する高精度成型のための離型性の向上、金型の長寿命化につながる耐摩耗性の向上など、様々な特性が要求されます。これに対し半導体パッケージ封⽌⾦型⽤離型膜であるMiCC膜は、以下の特徴と優位性を有しています。
MiCCの特⻑
1.低い表⾯エネルギー(離型性向上)
2.低温合成(>150℃)
3.⾼硬度(~20GPa)
4.優れた密着性(臨界荷重>80N @ 200um tip)
5.低い摩擦係数
半導体パッケージに対する優位性
1.⾦型の⻑寿命化:従来のCrN膜に⽐べ、⾦型のメンテ頻度が低減
2.環境安全(六価クロム不使⽤)
3.粘着性低減
![ナノフィルム 半導体パッケージ封止金型用離型膜 表](/sites/default/files/inline-images/%E3%83%8A%E3%83%8E%E3%83%95%E3%82%A3%E3%83%AB%E3%83%A0%E3%80%80%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93%E3%83%91%E3%83%83%E3%82%B1%E3%83%BC%E3%82%B8%E5%B0%81%E6%AD%A2%E9%87%91%E5%9E%8B%E7%94%A8%E9%9B%A2%E5%9E%8B%E8%86%9C%E3%80%80%E8%A1%A8.png)